MTM10N100E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTM10N100E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-204AE
Аналог (замена) для MTM10N100E
MTM10N100E Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... MTH6N100E , MTH6N55 , MTH6N60 , MTH8N35 , MTH8N40 , MTH8N55 , MTH8N60 , MTH8N90 , IRFP250 , MTM10N25 , MTM12N10 , MTM12P05 , MTM12P06 , MTM12P08 , MTM12P10 , MTM13123 , MTM13127 .
History: IRF7701 | BLM2301



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722