MTM232270LBF - описание и поиск аналогов

 

MTM232270LBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTM232270LBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для MTM232270LBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTM232270LBF даташит

 ..1. Size:357K  panasonic
mtm232270lbf.pdfpdf_icon

MTM232270LBF

Doc No. TT4-EA-13115 Revision. 2 Product Standards MOS FET MTM232270LBF MTM232270LBF Silicon N-channel MOS FET Unit mm For switching 2.0 MTM13227 in SMini3 type package 0.3 0.15 3 Features Low drain-source On-state resistance RDS(on) typ = 85 m (VGS = 4.0 V) Low drive voltage 2.5 V drive Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL Level 1 c

 6.1. Size:439K  panasonic
mtm23227.pdfpdf_icon

MTM232270LBF

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). MTM23227 Silicon N-channel MOSFET For switching Overview Package MTM23227 is the l N-channel MOS FET that is highly suitable ofr DC-DC Code converter and other switching circuits. SMini3-G1-B Pin Name Features 1 Gate 2 Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process (4.6 mW

 7.1. Size:492K  panasonic
mtm232230lbf.pdfpdf_icon

MTM232270LBF

Doc No. TT4-EA-12901 Revision. 3 MOS FET MTM232230LBF MTM232230LBF N MOS FET Unit mm 2.0 0.3 0.15 3 RDS(on) typ = 20 m (VGS = 4.0 V) 2.5 V (EU RoHS / UL-94

 7.2. Size:431K  panasonic
mtm23223.pdfpdf_icon

MTM232270LBF

MTM23223 Silicon N-channel MOSFET For switching Overview Package MTM23223 is N-channel MOS FET for load switch circuits. Code SMini3-G1-B Pin Name Features 1 Gate Low voltage drive (2.5 V, 4 V) 2 Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process 3 Drain Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

Другие MOSFET... MTM15N50 , MTM20N15 , MTM20P10 , MTM23110 , MTM23123 , MTM23223 , MTM232230LBF , MTM23227 , P60NF06 , MTM24N45E , MTM24N50 , MTM25N10 , MTM26N40E , MTM2N50 , MTM2N85 , MTM2N90 , MTM30N50 .

History: AP6N100J | BUK9K8R7-40E | PSMN1R9-40PL | AP6982GN2 | SI3483DV | TPC8203

 

 

 

 

↑ Back to Top
.