MTM232270LBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTM232270LBF
Маркировка: ET
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 26 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
Аналог (замена) для MTM232270LBF
MTM232270LBF Datasheet (PDF)
mtm232270lbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Doc No. TT4-EA-13115Revision. 2Product StandardsMOS FETMTM232270LBFMTM232270LBFSilicon N-channel MOS FETUnit : mm For switching2.0MTM13227 in SMini3 type package0.3 0.153 Features Low drain-source On-state resistance : RDS(on) typ = 85 m (VGS = 4.0 V) Low drive voltage: 2.5 V driveHalogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL : Level 1 c
mtm23227.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).MTM23227Silicon N-channel MOSFETFor switching Overview PackageMTM23227 is the l N-channel MOS FET that is highly suitable ofr DC-DC Codeconverter and other switching circuits. SMini3-G1-B Pin Name Features 1: Gate 2: Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process (4.6 mW
mtm232230lbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Doc No. TT4-EA-12901Revision. 3MOS FETMTM232230LBFMTM232230LBFNMOS FETUnit : mm 2.00.3 0.153 RDS(on) typ = 20 m (VGS = 4.0 V) 2.5 V (EU RoHS / UL-94
mtm23223.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MTM23223Silicon N-channel MOSFETFor switching Overview PackageMTM23223 is N-channel MOS FET for load switch circuits. Code SMini3-G1-B Pin Name Features 1: Gate Low voltage drive (2.5 V, 4 V) 2: Source Realization of low on-resistance, using extremely fine process 3: Drain Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
![MTM232270LBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MTM232270LBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MTM232270LBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C