MTM6N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTM6N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-204AA
Аналог (замена) для MTM6N60
MTM6N60 Datasheet (PDF)
mtm6n90.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM6N90(MTM6N90) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power
Другие MOSFET... MTM5N100 , MTM5N35 , MTM5N40 , MTM5N95 , MTM60N05 , MTM60N06 , MTM68410 , MTM68411 , IRFZ44N , MTM6N90 , MTM76110 , MTM76111 , MTM76123 , MTM76320 , MTM76325 , MTM76420 , MTM76520 .
History: CEB07N7 | 2SK1008 | BUK761R4-30E | SRM7N65D1-E1 | BUK761R3-30E | ELM14826AA | SI4288DY
History: CEB07N7 | 2SK1008 | BUK761R4-30E | SRM7N65D1-E1 | BUK761R3-30E | ELM14826AA | SI4288DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet