MTN4N65F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN4N65F3
Маркировка: 4N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO-263
MTN4N65F3 Datasheet (PDF)
mtn4n65f3.pdf
Spec. No. : C797F3 Issued Date : 2015.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65F3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compliant package Applications Adapter
mtn4n65fp.pdf
Spec. No. : C797FP Issued Date : 2010.06.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.07.28 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65FP ID : 4A Description The MTN4N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
mtn4n65i3.pdf
Spec. No. : C797I3 Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.18 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65I3 ID : 4A Description The MTN4N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn4n65j3.pdf
Spec. No. : C797J3 Issued Date : 2011.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65J3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918