MTN4N65F3 - описание и поиск аналогов

 

MTN4N65F3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTN4N65F3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для MTN4N65F3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN4N65F3 технические параметры

 ..1. Size:393K  cystek
mtn4n65f3.pdfpdf_icon

MTN4N65F3

Spec. No. C797F3 Issued Date 2015.03.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3 (typ.) MTN4N65F3 ID 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compliant package Applications Adapter

 6.1. Size:504K  cystek
mtn4n65fp.pdfpdf_icon

MTN4N65F3

Spec. No. C797FP Issued Date 2010.06.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.28 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3 (typ.) MTN4N65FP ID 4A Description The MTN4N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

 7.1. Size:332K  cystek
mtn4n65i3.pdfpdf_icon

MTN4N65F3

Spec. No. C797I3 Issued Date 2010.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.18 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3.0 (typ.) MTN4N65I3 ID 4A Description The MTN4N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.2. Size:327K  cystek
mtn4n65j3.pdfpdf_icon

MTN4N65F3

Spec. No. C797J3 Issued Date 2011.09.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3.0 (typ.) MTN4N65J3 ID 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package

Другие MOSFET... MTM981400BBF , MTM98240 , MTM982400BBF , MTMC8E2A , MTN12N30FP , MTN12N60BFP , MTN1N60L3 , MTN2300AN3 , 2SK3878 , MTN8N65FI , MTN9N50FP , MTP10N08 , MTP10N10 , MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 .

 

 
Back to Top

 


 
.