MTN4N65F3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTN4N65F3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
Тип корпуса: TO-263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTN4N65F3 Datasheet (PDF)
mtn4n65f3.pdf

Spec. No. : C797F3 Issued Date : 2015.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65F3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compliant package Applications Adapter
mtn4n65fp.pdf

Spec. No. : C797FP Issued Date : 2010.06.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.07.28 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65FP ID : 4A Description The MTN4N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
mtn4n65i3.pdf

Spec. No. : C797I3 Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.18 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65I3 ID : 4A Description The MTN4N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
mtn4n65j3.pdf

Spec. No. : C797J3 Issued Date : 2011.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65J3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: ZVP3310FTC | IRC8405 | AP60SL650AFI | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217
History: ZVP3310FTC | IRC8405 | AP60SL650AFI | 7N65KG-T2Q-T | 2SK56 | SQJ460AEP | IRF6217



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor