MTN4N65F3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MTN4N65F3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MTN4N65F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN4N65F3 даташит

 ..1. Size:393K  cystek
 mtn4n65f3.pdf pdf_icon

MTN4N65F3

Spec. No. C797F3 Issued Date 2015.03.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3 (typ.) MTN4N65F3 ID 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compliant package Applications Adapter

 6.1. Size:504K  cystek
 mtn4n65fp.pdf pdf_icon

MTN4N65F3

Spec. No. C797FP Issued Date 2010.06.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.07.28 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3 (typ.) MTN4N65FP ID 4A Description The MTN4N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

 7.1. Size:332K  cystek
 mtn4n65i3.pdf pdf_icon

MTN4N65F3

Spec. No. C797I3 Issued Date 2010.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.18 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3.0 (typ.) MTN4N65I3 ID 4A Description The MTN4N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.2. Size:327K  cystek
 mtn4n65j3.pdf pdf_icon

MTN4N65F3

Spec. No. C797J3 Issued Date 2011.09.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 3.0 (typ.) MTN4N65J3 ID 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTM981400BBF, MTM98240, MTM982400BBF, MTMC8E2A, MTN12N30FP, MTN12N60BFP, MTN1N60L3, MTN2300AN3, STP75NF75, MTN8N65FI, MTN9N50FP, MTP10N08, MTP10N10, MTP10N10E, MTP10N10ELG, MTP10N25, MTP10N35