RFH10N45 - описание и поиск аналогов

 

RFH10N45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFH10N45

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO218AC

Аналог (замена) для RFH10N45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFH10N45 даташит

 ..1. Size:32K  harris semi
 rfh10n45 rfh10n50.pdf pdf_icon

RFH10N45

RFH10N45, RFH10N50 Semiconductor Data Sheet October 1998 File Number 1629.2 10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, Features N-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V [ /Title These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600 (RFH10 power field effect transistors designed for applications such Related Literature as switching regulators, switching converters, m

Другие MOSFET... MTP10N10 , MTP10N10E , MTP10N10ELG , MTP10N25 , MTP10N35 , MTP10N40 , MTP10N40E , MTP12N08L , K4145 , RFH10N50 , SMD15N05 , SMU15N05 , MTP12N10E , MTP12N10L , MTP12N18 , MTP12N20 , MTP12P05 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.