MTP12N18 - описание и поиск аналогов

 

MTP12N18. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP12N18

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 180 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP12N18

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP12N18 даташит

 ..1. Size:177K  1
 irf630 irf631 irf632 irf633 irf230 irf231 irf232 irf233 mtp12n18 mtp12n20.pdf pdf_icon

MTP12N18

 ..2. Size:101K  njs
 mtp12n18.pdf pdf_icon

MTP12N18

 0.1. Size:177K  fairchild semi
 irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdf pdf_icon

MTP12N18

 7.1. Size:239K  motorola
 mtp12n10erev1a.pdf pdf_icon

MTP12N18

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP12N10E/D Designer's Data Sheet MTP12N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 12 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 100 VOLTS effi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP10N40E , MTP12N08L , RFH10N45 , RFH10N50 , SMD15N05 , SMU15N05 , MTP12N10E , MTP12N10L , IRFB3607 , MTP12N20 , MTP12P05 , MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , MTP15N05 , MTP15N05E .

History: FL014N | IRLML6402GPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.