Справочник MOSFET. MTP12N18

 

MTP12N18 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP12N18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP12N18 Datasheet (PDF)

 ..2. Size:101K  njs
mtp12n18.pdfpdf_icon

MTP12N18

 0.1. Size:177K  fairchild semi
irf630-6333 irf230-233 mtp12n18-20.pdfpdf_icon

MTP12N18

 7.1. Size:239K  motorola
mtp12n10erev1a.pdfpdf_icon

MTP12N18

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP12N10E/DDesigner's Data SheetMTP12N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high12 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy100 VOLTSeffi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IMW65R027M1H | STB18NF25 | WMM15N65F2 | NTMD6P02R2 | AOT66916L | SI3401 | SLW18N50C

 

 
Back to Top

 


 
.