Справочник MOSFET. MTP15N05E

 

MTP15N05E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP15N05E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP15N05E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP15N05E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  njs
 mtp15n05e.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 6.1. Size:459K  st
 mtp15n05l-06l-fi.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 6.2. Size:55K  njs
 mtp15n05 mtp15n06.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 7.1. Size:216K  motorola
 mtp15n06vl.pdf pdf_icon

MTP15N05E

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP15N06VL/DDesigner's Data SheetMTP15N06VLTMOS VPower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-15 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew technology more tha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP12N18 , MTP12N20 , MTP12P05 , MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , MTP15N05 , IRFZ24N , MTP15N06 , MTP1N100 , MTP1N50 , MTP1N50E , MTP1N55 , MTP1N60 , MTP1N60E , MTP1N80E .

History: SRC60R030BS | R6004JND3 | IRFS3107-7PPBF

 

 
Back to Top

 


 
.