MTP15N05E - описание и поиск аналогов

 

MTP15N05E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP15N05E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP15N05E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP15N05E даташит

 ..1. Size:87K  njs
 mtp15n05e.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 6.1. Size:459K  st
 mtp15n05l-06l-fi.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 6.2. Size:55K  njs
 mtp15n05 mtp15n06.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 7.1. Size:216K  motorola
 mtp15n06vl.pdf pdf_icon

MTP15N05E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP15N06VL/D Designer's Data Sheet MTP15N06VL TMOS V Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an on resis- 15 AMPERES tance area product about one half that of standard MOSFETs. This 60 VOLTS new technology more tha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP12N18 , MTP12N20 , MTP12P05 , MTP12P06 , MTP12P08 , MTP12P10 , MTP12P10G , MTP15N05 , TK10A60D , MTP15N06 , MTP1N100 , MTP1N50 , MTP1N50E , MTP1N55 , MTP1N60 , MTP1N60E , MTP1N80E .

History: WM03DP50A | LSE65R099GT | MTB1D0N03RH8 | MTP2N60E | WSP9926B | 2SJ296S | IRLML6346TRPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.