Справочник MOSFET. MTP15N05E

 

MTP15N05E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP15N05E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP15N05E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  njs
 mtp15n05e.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 6.1. Size:459K  st
 mtp15n05l-06l-fi.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 6.2. Size:55K  njs
 mtp15n05 mtp15n06.pdf pdf_icon

MTP15N05E

 7.1. Size:216K  motorola
 mtp15n06vl.pdf pdf_icon

MTP15N05E

MOTOROLAOrder this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP15N06VL/DDesigner's Data SheetMTP15N06VLTMOS VPower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FET TMOS V is a new technology designed to achieve an onresis-15 AMPEREStance area product about onehalf that of standard MOSFETs. This60 VOLTSnew technology more tha

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: P0260AD | 2SK1590 | NCE20ND08U | IRFR4105ZTR | 4N65G-TND-R | FSW25N50A | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.