Справочник MOSFET. MTP1N100

 

MTP1N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP1N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP1N100 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:175K  motorola
mtp1n100e.pdfpdf_icon

MTP1N100

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N100E/DDesigner's Data SheetMTP1N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without1000 VOLTSde

 0.2. Size:203K  motorola
mtp1n100erev2x.pdfpdf_icon

MTP1N100

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N100E/DDesigner's Data SheetMTP1N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without1000 VOLTSde

 9.1. Size:159K  motorola
mtp1n50erev1x.pdfpdf_icon

MTP1N100

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N50E/DDesigner's Data SheetMTP1N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IPD50N04S3-08 | STF8236

 

 
Back to Top

 


 
.