Справочник MOSFET. MTP1N55

 

MTP1N55 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP1N55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для MTP1N55

 

 

MTP1N55 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:159K  motorola
mtp1n50erev1x.pdf

MTP1N55
MTP1N55

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N50E/DDesigner's Data SheetMTP1N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

 8.2. Size:112K  motorola
mtp1n50e.pdf

MTP1N55
MTP1N55

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1N50E/DDesigner's Data SheetMTP1N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination1.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without500 VOLTSdegra

 8.3. Size:25K  no
mtp1n50.pdf

MTP1N55
MTP1N55

PRODUCT SPECIFICATIONS SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, INC. 3131 S. E. JAY STREET, STUART, FL 34997 TYPE: MTP1N50 PH: (561) 283-4500 FAX: (561) 286-8914 Website: http://www.semi-tech-inc.com CASE OUTLINE: TO-220 HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL ABSOLUTE MAXIMUM RATING: Drain Source Voltage VDSS 500 Vdc Drain Gate Voltage VDGR 500 Vdc Drain Current Continuous ID 1.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top