Справочник MOSFET. MTP2N20

 

MTP2N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP2N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  1
 irf610 irf611 irf612 irf613 mtp2n18 mtp2n20.pdf pdf_icon

MTP2N20

 ..2. Size:107K  njs
 mtp2n18 mtp2n20.pdf pdf_icon

MTP2N20

 8.1. Size:238K  motorola
 mtp2n2222a p2n2222a.pdf pdf_icon

MTP2N20

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmitter Voltage VCEO 40 Vdc 3CollectorBase Voltage VCBO 75 VdcCASE 2904, STYLE 17EmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcTO92 (TO226AA)Collector Current Conti

 8.2. Size:240K  motorola
 mtp2n2907a.pdf pdf_icon

MTP2N20

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2907A/DAmplifier TransistorPNP SiliconP2N2907ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmitter Voltage VCEO 60 Vdc 3CollectorBase Voltage VCBO 60 VdcCASE 2904, STYLE 17EmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcTO92 (TO226AA)Collector Current

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP20N20E , MTP20P06 , MTP23P06V , MTP23P06VG , MTP25N05E , MTP2955 , MTP2955V , MTP2N18 , AO3401 , MTP2N35 , MTP2N40 , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 , MTP2N60 , MTP2N60E .

History: NVTFS5C670NL

 

 
Back to Top

 


 
.