Справочник MOSFET. MTP2N40

 

MTP2N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP2N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:786K  njs
 mtp2n35 mtp2n40.pdf pdf_icon

MTP2N40

 0.1. Size:217K  motorola
 mtp2n40erev0bx.pdf pdf_icon

MTP2N40

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N40E/DDesigner's Data SheetMTP2N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

 0.2. Size:140K  motorola
 mtp2n40e.pdf pdf_icon

MTP2N40

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N40E/DDesigner's Data SheetMTP2N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

 8.1. Size:157K  fairchild semi
 mtp2n45.pdf pdf_icon

MTP2N40

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP23P06V , MTP23P06VG , MTP25N05E , MTP2955 , MTP2955V , MTP2N18 , MTP2N20 , MTP2N35 , RU6888R , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 , MTP2N60 , MTP2N60E , MTP2N80 , MTP2N85 .

History: 2SK3019TT1 | AFP9434WS | SIHU5N50D | MMF65R600QTH | MS40N06 | RJK0317DSP | SGSP316

 

 
Back to Top

 


 
.