Справочник MOSFET. MTP2N80

 

MTP2N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP2N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP2N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  njs
 mtp2n80.pdf pdf_icon

MTP2N80

 8.1. Size:56K  motorola
 mtp1n100 mtp1n55 mtp1n95 mtp20p06 mtp2955 mtp2n55 mtp2n60 mtp2n85 mtp2p45 mtp2p50 mtp3n100 mtp3n75 mtp3n80 mtp3n95 mtp3p25 mtp4n85.pdf pdf_icon

MTP2N80

 9.1. Size:107K  1
 irf610 irf611 irf612 irf613 mtp2n18 mtp2n20.pdf pdf_icon

MTP2N80

 9.2. Size:217K  motorola
 mtp2n40erev0bx.pdf pdf_icon

MTP2N80

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP2N40E/DDesigner's Data SheetMTP2N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination2.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without400 VOLTSdegra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP2N35 , MTP2N40 , MTP2N40E , MTP2N45 , MTP2N50E , MTP2N55 , MTP2N60 , MTP2N60E , IRF1405 , MTP2N85 , MTP2N90 , MTP2P45 , MTP2P50 , MTP2P50EG , MTP3055V , MTP30P06V , MTP36N06V .

History: P0770ETFS | TPCA8A09-H | AO4812 | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.