MTP3N100 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTP3N100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTP3N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP3N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3N100 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:179K  motorola
mtp3n100e.pdfpdf_icon

MTP3N100

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N100E/DDesigner's Data SheetMTP3N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination3.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without1000 VOLTSde

 0.2. Size:206K  motorola
mtp3n100e-.pdfpdf_icon

MTP3N100

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N100E/DDesigner's Data SheetMTP3N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis high voltage MOSFET uses an advanced termination3.0 AMPERESscheme to provide enhanced voltageblocking capability without1000 VOLTSde

 8.1. Size:217K  motorola
mtp3n120e.pdfpdf_icon

MTP3N100

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP3N120E/DDesigner's Data SheetMTP3N120ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highvoltage TMOS EFET is designed to3.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.1200 VOLTS

Другие MOSFET... MTP2N85 , MTP2N90 , MTP2P45 , MTP2P50 , MTP2P50EG , MTP3055V , MTP30P06V , MTP36N06V , HY1906P , MTP3N120E , MTP3N35 , MTP3N40 , MTP3N55 , MTP3N75 , MTP3N80 , MTP3N95 , MTP3P25 .

History: SSP70R190S2

 

 
Back to Top

 


 
.