MTP4N90 - описание и поиск аналогов

 

MTP4N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP4N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP4N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP4N90 даташит

 9.1. Size:254K  motorola
 mtp4n50erev1a.pdf pdf_icon

MTP4N90

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP4N50E/D Designer's Data Sheet MTP4N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 4.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 500 VOLTS This new

 9.2. Size:245K  motorola
 mtp4n80e.pdf pdf_icon

MTP4N90

MTP4N80 PCB 24 MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP4N80E/D Designer's Data Sheet MTP4N80E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 4.0 AMPERES s

 9.3. Size:138K  motorola
 mtp4n40e.pdf pdf_icon

MTP4N90

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP4N40E/D Designer's Data Sheet MTP4N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This high voltage MOSFET uses an advanced termination 4.0 AMPERES scheme to provide enhanced voltage blocking capability without 400 VOLTS degra

 9.4. Size:217K  motorola
 mtp4n50e.pdf pdf_icon

MTP4N90

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP4N50E/D Designer's Data Sheet MTP4N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 4.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 500 VOLTS This new

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP4N08 , MTP4N10 , MTP4N40E , MTP4N45 , MTP4N50 , MTP4N60 , MTP4N80E , MTP4N85 , IRF1404 , MTP50N06V , MTP50P03HDLG , MTP5N05 , MTP5N06 , MTP5N35 , MTP5N40 , MTP5N40E , MTP5N60 .

History: UPA1817GR | AP4226AGM-HF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.