MTP5N05 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

MTP5N05 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: MTP5N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP5N05

MTP5N05 Datasheet (PDF)

..1. Size:107K njs
mtp4n08 mtp4n10 mtp5n05 mtp5n06.pdf

9.1. Size:171K motorola
mtp5n40e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP5N40E/DDesigner's Data SheetMTP5N40ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced high voltage TMOS EFET is designed to5.0 AMPERESwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.400 VOLTSThis new

9.2. Size:258K motorola
mtp5n40erev1a.pdf