MTP5N35 - описание и поиск аналогов

 

MTP5N35. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP5N35

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP5N35

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5N35 даташит

 ..1. Size:843K  njs
 mtm5n35 mtm5n40 mtp5n35 mtp5n40.pdf pdf_icon

MTP5N35

 9.1. Size:171K  motorola
 mtp5n40e.pdf pdf_icon

MTP5N35

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP5N40E/D Designer's Data Sheet MTP5N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 5.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 400 VOLTS This new

 9.2. Size:258K  motorola
 mtp5n40erev1a.pdf pdf_icon

MTP5N35

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP5N40E/D Designer's Data Sheet MTP5N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 5.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 400 VOLTS This new

 9.3. Size:56K  njs
 mtp5n60.pdf pdf_icon

MTP5N35

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP4N60 , MTP4N80E , MTP4N85 , MTP4N90 , MTP50N06V , MTP50P03HDLG , MTP5N05 , MTP5N06 , AO3400 , MTP5N40 , MTP5N40E , MTP5N60 , MTP5P18 , MTP5P20 , MTP5P25 , MTP6N60E , MTP6P20E .

History: NTMFS4927N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.