MTP5N40. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTP5N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для MTP5N40
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTP5N40 даташит
mtp5n40e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP5N40E/D Designer's Data Sheet MTP5N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 5.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 400 VOLTS This new
mtp5n40erev1a.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP5N40E/D Designer's Data Sheet MTP5N40E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced high voltage TMOS E FET is designed to 5.0 AMPERES withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. 400 VOLTS This new
Другие MOSFET... MTP4N80E , MTP4N85 , MTP4N90 , MTP50N06V , MTP50P03HDLG , MTP5N05 , MTP5N06 , MTP5N35 , IRFB4227 , MTP5N40E , MTP5N60 , MTP5P18 , MTP5P20 , MTP5P25 , MTP6N60E , MTP6P20E , MTP7N18 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor