Справочник MOSFET. MTP7N18

 

MTP7N18 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP7N18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTP7N18

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP7N18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  fairchild semi
 mtp7n18 mtp7n20.pdf pdf_icon

MTP7N18

 9.1. Size:223K  motorola
 mtp7n20erev0b.pdf pdf_icon

MTP7N18

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP7N20E/DDesigner's Data SheetMTP7N20ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high7.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy200 VOLTSeffic

 9.2. Size:192K  motorola
 mtp7n20e.pdf pdf_icon

MTP7N18

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP7N20E/DDesigner's Data SheetMTP7N20ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high7.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy200 VOLTSeffic

 9.3. Size:57K  njs
 mtp7n60.pdf pdf_icon

MTP7N18

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP5N40 , MTP5N40E , MTP5N60 , MTP5P18 , MTP5P20 , MTP5P25 , MTP6N60E , MTP6P20E , STP75NF75 , MTP7N20 , MTP7N60 , MTP7P05 , MTP7P06 , MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 .

History: TPCJ2101 | FQD13N10LTF | IPD105N04LG | RJK1211DPA | HMS10N60K | STW77N65M5

 

 
Back to Top

 


 
.