MTP7N18 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

MTP7N18 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: MTP7N18
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 180 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP7N18

MTP7N18 Datasheet (PDF)

..1. Size:169K fairchild semi
mtp7n18 mtp7n20.pdf

9.1. Size:223K motorola
mtp7n20erev0b.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP7N20E/DDesigner's Data SheetMTP7N20ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high7.0 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy200 VOLTSeffic

9.2. Size:192K motorola
mtp7n20e.pdf