MTP7N18 - описание и поиск аналогов

 

MTP7N18. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP7N18

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 180 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTP7N18

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP7N18 даташит

 ..1. Size:169K  fairchild semi
 mtp7n18 mtp7n20.pdf pdf_icon

MTP7N18

 9.1. Size:223K  motorola
 mtp7n20erev0b.pdf pdf_icon

MTP7N18

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP7N20E/D Designer's Data Sheet MTP7N20E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 7.0 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 200 VOLTS effic

 9.2. Size:192K  motorola
 mtp7n20e.pdf pdf_icon

MTP7N18

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP7N20E/D Designer's Data Sheet MTP7N20E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 7.0 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 200 VOLTS effic

 9.3. Size:57K  njs
 mtp7n60.pdf pdf_icon

MTP7N18

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MTP5N40 , MTP5N40E , MTP5N60 , MTP5P18 , MTP5P20 , MTP5P25 , MTP6N60E , MTP6P20E , 7N65 , MTP7N20 , MTP7N60 , MTP7P05 , MTP7P06 , MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 .

History: LSH60R280HT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.