MTW10N40E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTW10N40E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW10N40E
MTW10N40E Datasheet (PDF)
mtw10n100e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro
mtw10n100erev3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro
Другие MOSFET... MTP7P06 , MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , SPP20N60C3 , MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E .
History: CEM9926
History: CEM9926
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor