MTW10N40E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTW10N40E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW10N40E
MTW10N40E Datasheet (PDF)
mtw10n100e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro
mtw10n100erev3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW10N100E/DDesigner's Data SheetMTW10N100ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 10 AMPERES1000 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 1.3 OHMscheme to pro
Другие MOSFET... MTP7P06 , MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , SPP20N60C3 , MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E .
History: RP1E050RPTR | 2SJ461A
History: RP1E050RPTR | 2SJ461A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor