MTW10N40E - описание и поиск аналогов

 

MTW10N40E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTW10N40E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO-247AE

Аналог (замена) для MTW10N40E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW10N40E даташит

 ..1. Size:74K  motorola
 mtw10n40e.pdf pdf_icon

MTW10N40E

 8.1. Size:121K  motorola
 mtw10n100e.pdf pdf_icon

MTW10N40E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW10N100E/D Designer's Data Sheet MTW10N100E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 10 AMPERES 1000 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.3 OHM scheme to pro

 8.2. Size:192K  motorola
 mtw10n100erev3.pdf pdf_icon

MTW10N40E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW10N100E/D Designer's Data Sheet MTW10N100E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 10 AMPERES 1000 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 1.3 OHM scheme to pro

Другие MOSFET... MTP7P06 , MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , K3569 , MTW14N50E , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.