MTW14N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTW14N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW14N50E
MTW14N50E Datasheet (PDF)
mtw14n50e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW14N50E/DDesigner's Data SheetMTW14N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES500 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.40 OHMenergy in th
mtw14n50e.pdf

MTW14N50EPreferred DevicePower MOSFET14 Amps, 500 VoltsNChannel TO247This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltageblocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this advanced Power MOSFET isdesigned to withstand high energy in the avalanche and commutation14 AMPERESmodes. The new
mtw14n50erev4.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW14N50E/DDesigner's Data SheetMTW14N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES500 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.40 OHMenergy in th
Другие MOSFET... MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , 8205A , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E .
History: BUK7614-55A | DAMI280N200
History: BUK7614-55A | DAMI280N200



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945