MTW14N50E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTW14N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW14N50E
MTW14N50E Datasheet (PDF)
mtw14n50e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW14N50E/DDesigner's Data SheetMTW14N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES500 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.40 OHMenergy in th
mtw14n50e.pdf

MTW14N50EPreferred DevicePower MOSFET14 Amps, 500 VoltsNChannel TO247This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltageblocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this advanced Power MOSFET isdesigned to withstand high energy in the avalanche and commutation14 AMPERESmodes. The new
mtw14n50erev4.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW14N50E/DDesigner's Data SheetMTW14N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES500 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.40 OHMenergy in th
Другие MOSFET... MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , 4435 , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E .
History: OSG60R108HT3ZF | SSF7NS60F | SSG4930N | KNP2804C | MTW24N40E | AP0704GMT-HF | OSG60R099JF
History: OSG60R108HT3ZF | SSF7NS60F | SSG4930N | KNP2804C | MTW24N40E | AP0704GMT-HF | OSG60R099JF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945