MTW14N50E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTW14N50E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-247AE
Аналог (замена) для MTW14N50E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTW14N50E даташит
mtw14n50e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW14N50E/D Designer's Data Sheet MTW14N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 14 AMPERES 500 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.40 OHM energy in th
mtw14n50e.pdf
MTW14N50E Preferred Device Power MOSFET 14 Amps, 500 Volts N Channel TO 247 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage blocking capability without degrading http //onsemi.com performance over time. In addition, this advanced Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation 14 AMPERES modes. The new
mtw14n50erev4.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW14N50E/D Designer's Data Sheet MTW14N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 14 AMPERES 500 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.40 OHM energy in th
Другие MOSFET... MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , IRFP260 , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E .
History: 2SK3646-01S
History: 2SK3646-01S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945



