Справочник MOSFET. MTW14N50E

 

MTW14N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTW14N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW14N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW14N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  motorola
 mtw14n50e.pdf pdf_icon

MTW14N50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW14N50E/DDesigner's Data SheetMTW14N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES500 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.40 OHMenergy in th

 ..2. Size:103K  onsemi
 mtw14n50e.pdf pdf_icon

MTW14N50E

MTW14N50EPreferred DevicePower MOSFET14 Amps, 500 VoltsNChannel TO247This high voltage MOSFET uses an advanced termination schemeto provide enhanced voltageblocking capability without degradinghttp://onsemi.comperformance over time. In addition, this advanced Power MOSFET isdesigned to withstand high energy in the avalanche and commutation14 AMPERESmodes. The new

 0.1. Size:205K  motorola
 mtw14n50erev4.pdf pdf_icon

MTW14N50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW14N50E/DDesigner's Data SheetMTW14N50ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES500 VOLTSThis advanced TMOS EFET is designed to withstand highRDS(on) = 0.40 OHMenergy in th

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.