MTW14N50E - описание и поиск аналогов

 

MTW14N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTW14N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-247AE

Аналог (замена) для MTW14N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW14N50E даташит

 ..1. Size:178K  motorola
mtw14n50e.pdfpdf_icon

MTW14N50E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW14N50E/D Designer's Data Sheet MTW14N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 14 AMPERES 500 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.40 OHM energy in th

 ..2. Size:103K  onsemi
mtw14n50e.pdfpdf_icon

MTW14N50E

MTW14N50E Preferred Device Power MOSFET 14 Amps, 500 Volts N Channel TO 247 This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme to provide enhanced voltage blocking capability without degrading http //onsemi.com performance over time. In addition, this advanced Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation 14 AMPERES modes. The new

 0.1. Size:205K  motorola
mtw14n50erev4.pdfpdf_icon

MTW14N50E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW14N50E/D Designer's Data Sheet MTW14N50E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 14 AMPERES 500 VOLTS This advanced TMOS E FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.40 OHM energy in th

Другие MOSFET... MTP8N20 , MTP8N50E , MTP8N60 , MTP8P08 , MTP8P10 , MTP8P25 , MTW10N100E , MTW10N40E , IRFP260 , MTW16N40E , MTW20N50E , MTW23N25E , MTW24N40E , MTW26N15E , MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E .

History: 2SK3646-01S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.