MTW8N50E - описание и поиск аналогов

 

MTW8N50E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTW8N50E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-247AE

Аналог (замена) для MTW8N50E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW8N50E даташит

 ..1. Size:70K  motorola
 mtw8n50e.pdf pdf_icon

MTW8N50E

 9.1. Size:194K  motorola
 mtw8n60e.pdf pdf_icon

MTW8N50E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTW8N60E/D Designer's Data Sheet MTW8N60E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor TO-247 with Isolated Mounting Hole TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 8.0 AMPERES 600 VOLTS This high voltage MOSFET uses an advanced termination RDS(on) = 0.55 OHM scheme to provid

Другие MOSFET... MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , NCEP15T14 , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , MVMBF0201NL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.