Справочник MOSFET. MTW8N50E

 

MTW8N50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTW8N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AE
 

 Аналог (замена) для MTW8N50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTW8N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  motorola
 mtw8n50e.pdf pdf_icon

MTW8N50E

 9.1. Size:194K  motorola
 mtw8n60e.pdf pdf_icon

MTW8N50E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTW8N60E/DDesigner's Data SheetMTW8N60ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorTO-247 with Isolated Mounting HoleTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 8.0 AMPERES600 VOLTSThis high voltage MOSFET uses an advanced terminationRDS(on) = 0.55 OHMscheme to provid

Другие MOSFET... MTW32N20EG , MTW32N25E , MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , IRFP450 , MTY100N10E , MVB50P03HDL , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , MVMBF0201NL .

History: IXTN550N055T2 | KP750B1 | STW60NM50N | SDF120JAB-S | UT3P01Z | 12N80G-TC3-T | BLL6H0514L-130

 

 
Back to Top

 


 
.