Справочник MOSFET. MVB50P03HDL

 

MVB50P03HDL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MVB50P03HDL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для MVB50P03HDL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MVB50P03HDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  onsemi
 mvb50p03hdl mvb50p03hdlt4g.pdf pdf_icon

MVB50P03HDL

MTB50P03HDL,MVB50P03HDLT4GP-Channel Power MOSFET50 A, 30 V, Logic Level D2PAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in theavalanche and commutation modes. The energy efficient design alsooffers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed forhttp://onsemi.comlow voltage, high speed switching applications in power supplies,converters and PWM motor

Другие MOSFET... MTW33N10E , MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , 20N50 , MVB50P03HDLT4G , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , MVMBF0201NL , MVSF2N02EL , MVSF2N02ELT1G .

History: SI2301B | SI7194DP | TK3P50D | OSG65R200FEF-NB | FQB9N25CTM | OSG65R2KFF

 

 
Back to Top

 


 
.