MVB50P03HDL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MVB50P03HDL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MVB50P03HDL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MVB50P03HDL даташит

 ..1. Size:133K  onsemi
 mvb50p03hdl mvb50p03hdlt4g.pdf pdf_icon

MVB50P03HDL

MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G P-Channel Power MOSFET 50 A, 30 V, Logic Level D2PAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for http //onsemi.com low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor

Другие IGBT... MTW33N10E, MTW35N15E, MTW45N10E, MTW4N80E, MTW6N60E, MTW7N80E, MTW8N50E, MTY100N10E, AON7410, MVB50P03HDLT4G, MVGSF1N02L, MVGSF1N02LT1G, MVGSF1N03L, MVGSF1N03LT1G, MVMBF0201NL, MVSF2N02EL, MVSF2N02ELT1G