MVB50P03HDLT4G - описание и поиск аналогов

 

MVB50P03HDLT4G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MVB50P03HDLT4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для MVB50P03HDLT4G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MVB50P03HDLT4G даташит

 ..1. Size:133K  onsemi
 mvb50p03hdl mvb50p03hdlt4g.pdf pdf_icon

MVB50P03HDLT4G

MTB50P03HDL, MVB50P03HDLT4G P-Channel Power MOSFET 50 A, 30 V, Logic Level D2PAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain-to-source diode with a fast recovery time. Designed for http //onsemi.com low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor

Другие MOSFET... MTW35N15E , MTW45N10E , MTW4N80E , MTW6N60E , MTW7N80E , MTW8N50E , MTY100N10E , MVB50P03HDL , IRFP450 , MVGSF1N02L , MVGSF1N02LT1G , MVGSF1N03L , MVGSF1N03LT1G , MVMBF0201NL , MVSF2N02EL , MVSF2N02ELT1G , MX2N4091 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.