Справочник MOSFET. SML20H45

 

SML20H45 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML20H45
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 148 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO258
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML20H45 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:26K  semelab
sml20h45.pdfpdf_icon

SML20H45

SML20H45TO258 Package Outline.Dimensions in mm (inches)6.86 (0.270)NCHANNEL6.09 (0.240)17.65 (0.695)17.39 (0.685)1.14 (0.707)ENHANCEMENT MODE0.88 (0.035)HIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS4.19 (0.165)3.94 (0.155)Dia.1 2 3VDSS 200VID(cont) 45ARDS(on) 0.0405.08 (0.200) 3.56 (0.140)BSC BSC Faster Switching1.65 (0.065)1.39 (0.055) Lower Le

 9.1. Size:26K  semelab
sml20w65.pdfpdf_icon

SML20H45

SML20W65TO267 Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNELENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETSVDSS 200VID(cont) 65ARDS(on) 0.026 Faster Switching Lower Leakage TO267 Hermetic PackageDStarMOS is a new generation of high voltageNChannel enhancement mode power MOSFETs.This new technology minimises the JFET effect,Gincreases

 9.2. Size:23K  semelab
sml20j175.pdfpdf_icon

SML20H45

SML20J175SOT227 Package Outline.Dimensions in mm (inches)11.8 (0.463)12.2 (0.480)31.5 (1.240)NCHANNEL31.7 (1.248)8.9 (0.350)7.8 (0.307)4.1 (0.161 )8.2 (0.322) W = 9.6 (0.378)Hex Nut M 44.3 (0.169 )ENHANCEMENT MODE(4 places)4.8 (0.187)H =4.9 (0.193)1 2(4 places) HIGH VOLTAGERPOWER MOSFETS4.0 (0.157) 0.75 (0.030)4.2 (0.165) 0.85 (0.033)4 3

 9.3. Size:457K  semelab
sml2005smd1.pdfpdf_icon

SML20H45

N-CHANNEL POWER MOSFET SML2005SMD1 Low RDS(on) MOSFET Transistor. Hermetic Ceramic Surface Mount Package Ideally suited for Power Supply, Motor Controls and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 200V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C Con

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.