Справочник MOSFET. 2SK756

 

2SK756 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK756
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK756 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:234K  inchange semiconductor
 2sk756.pdf pdf_icon

2SK756

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK756DESCRIPTIONDrain Current I =8A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONShigh speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay drivers.ABSOLUTE MAXIMU

 9.1. Size:33K  panasonic
 2sk758.pdf pdf_icon

2SK756

Power F-MOS FETs 2SK7582SK758Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features10.0 0.2 4.2 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on) = 0.45(typ) 5.5 0.2 2.7 0.2High-speed switching : tf = 45ns(typ)No secondary breakdown3.1 0.1 ApplicationsDC-DC converter1.3 0.2 1.4 0.1Non-contact relaySolenoid drive+0.20.5 -0.10.8 0.1Motor drive2.54 0.25

 9.2. Size:233K  inchange semiconductor
 2sk753.pdf pdf_icon

2SK756

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK753DESCRIPTIONDrain Current I =5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 160V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 160

 9.3. Size:232K  inchange semiconductor
 2sk757.pdf pdf_icon

2SK756

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK757DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 200V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 20

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TPC8404 | GSM2341 | RRL025P03 | IRFR9214 | BSS123A

 

 
Back to Top

 


 
.