SPB100N06S2L-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SPB100N06S2L-05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SPB100N06S2L-05
SPB100N06S2L-05 Datasheet (PDF)
spp100n06s2l-05 spb100n06s2l-05.pdf

SPP100N06S2L-05SPB100N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.4 m Enhancement modeID 100 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N06S2L-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6043PN06L05SPB100N0
spp100n06s2-05 spb100n06s2-05.pdf

SPP100N06S2-05SPB100N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.7 m Enhancement modeID 100 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6048PN0605SPB100N06S2-05 P- TO263 -3-2
spp100n08s2l-07 spb100n08s2l-07.pdf

SPP100N08S2L-07SPB100N08S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS75 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 6.5 m Enhancement modeID 100 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N08S2L-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6045PN08L07SPB100N0
spb100n03s2-03 spb100n03s2.pdf

SPB100N03S2-03GOptiMOS TM Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS30 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 3 m Enhancement modeID 100 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)P-TO263 -3 Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/d t rated; Halogen Free according to IEC61249-2-21 MarkingType Package
Другие MOSFET... SPB80N06S2-05 , SPP80N06S2L-07 , SPB80N06S2L-07 , SPP80N06S2L-09 , SPB80N06S2L-09 , SPP80N06S2L-H5 , SPB80N06S2L-H5 , SPP100N06S2L-05 , RFP50N06 , G1003 , G1818 , G2002L , GKI03026 , GKI03039 , GKI03061 , GKI03080 , GKI04031 .
History: OSG55R092FF | FDD86369-F085 | SMG2370N | IRFS150 | SWI1N55D | SCT3160KL | ZXMP10A18G
History: OSG55R092FF | FDD86369-F085 | SMG2370N | IRFS150 | SWI1N55D | SCT3160KL | ZXMP10A18G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56