GKI06259 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GKI06259
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0217 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для GKI06259
GKI06259 Datasheet (PDF)
gki06259.pdf

60 V, 22 A, 16.5 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI06259 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 22 A RDS(ON) -------- 21.7 m max. (VGS = 10 V, ID = 12.5 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 6.6 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 15
gki06071.pdf

60 V, 40 A, 4.8 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI06071 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 40 A RDS(ON) ---------- 6.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 34.0 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------26.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID =
gki06185.pdf

60 V, 26 A, 11.8 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI06185 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) DFN 5 6 ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) -------- 16.3 m max. (VGS = 10 V, ID = 15.5 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------- 9.1 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 19
gki06109.pdf

60 V, 26 A, 7.0 m Low RDS(ON) N ch Trench Power MOSFET GKI06109 Features Package V(BR)DSS --------------------------------- 60 V (ID = 100 A) DFN 5 6 (L) ID ---------------------------------------------------------- 26 A RDS(ON) ---------- 9.5 m max. (VGS = 10 V, ID = 23.6 A) 8pin 8pin D D D D D D D D Qg ------16.9 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID =
Другие MOSFET... GKI03080 , GKI04031 , GKI04048 , GKI04076 , GKI04101 , GKI06071 , GKI06109 , GKI06185 , 10N65 , GKI07113 , GKI07174 , GKI07301 , GKI10194 , GKI10301 , GKI10526 , GM2301 , GM2302 .
History: IRF4104SPBF | IPD14N06S2-80 | FDFME3N311ZT
History: IRF4104SPBF | IPD14N06S2-80 | FDFME3N311ZT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet