GMS2301 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GMS2301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для GMS2301
GMS2301 Datasheet (PDF)
gms2301.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMS2301SOT-23 (SOT-23 Field Effect Transistors)P-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP-Channel Enhancement-Mode MOS FETsP MOSP MOSPMOS
gms2302.pdf

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GMS2302SOT-23 (SOT-23 Field Effect Transistors)N-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN-Channel Enhancement-Mode MOS FETsN MOSN MOSNMOS
Другие MOSFET... GM4947 , GM7002 , GM8205 , GM8205A , GM8205D , GMP3205 , GMP60N06 , GMP80N75 , P60NF06 , GMS2302 , GP1M003A040XG , GP1M003A050HG-FG , GP1M003A050XG , GP1M003A080XG , GP1M003A080XX , GP1M003A090XX , GP1M004A090XX .
History: AP2864I-A-HF | LNC5N50 | SI4166DY | RQJ0305EQDQS | WST2307 | SIR808DP | SI4886DY
History: AP2864I-A-HF | LNC5N50 | SI4166DY | RQJ0305EQDQS | WST2307 | SIR808DP | SI4886DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078