GP1M003A050HG-FG - описание и поиск аналогов

 

GP1M003A050HG-FG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GP1M003A050HG-FG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для GP1M003A050HG-FG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M003A050HG-FG даташит

 0.1. Size:418K  globalpower
 gp1m003a050hg-fg.pdf pdf_icon

GP1M003A050HG-FG

GP1M003A050HG GP1M003A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 3.1. Size:517K  globalpower
 gp1m003a050xg.pdf pdf_icon

GP1M003A050HG-FG

GP1M003A050CG GP1M003A050PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 5.1. Size:388K  globalpower
 gp1m003a080xx.pdf pdf_icon

GP1M003A050HG-FG

GP1M003A080H/ GP1M003A080F GP1M003A080HH/ GP1M003A080FH VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(ON) = 4.2 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark GP1M003A080H/ GP1M003A080F TO-220 / TO-220F GP1M003A080H/ GP1M003A080F

 5.2. Size:492K  globalpower
 gp1m003a080xg.pdf pdf_icon

GP1M003A050HG-FG

GP1M003A080CG GP1M003A080PG Features VDSS = 880 V @Tjmax Low gate charge ID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark GP1M003A080CH/GP1M003A080PH D-PAK/I-PAK GP1M003A080CH/GP1M003A080PH Halog

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GM8205A , GM8205D , GMP3205 , GMP60N06 , GMP80N75 , GMS2301 , GMS2302 , GP1M003A040XG , IRF1405 , GP1M003A050XG , GP1M003A080XG , GP1M003A080XX , GP1M003A090XX , GP1M004A090XX , GP1M005A040XG , GP1M005A050XH , GP1M005A050XX .

History: 2SJ474-01S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.