Справочник MOSFET. GP1M005A040XG

 

GP1M005A040XG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M005A040XG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251
 

 Аналог (замена) для GP1M005A040XG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M005A040XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  globalpower
gp1m005a040xg.pdfpdf_icon

GP1M005A040XG

GP1M005A040CG GP1M005A040PG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 3.4A 100% avalanche tested RDS(on) = 1.6 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark GP1M005A040CG D-PAK GP1M005A040CG RoHS GP1M005A040PG I-PAK

 5.1. Size:601K  globalpower
gp1m005a050xh.pdfpdf_icon

GP1M005A040XG

GP1M005A050CH GP1M005A050PH Features VDSS = 550 V @Tjmax Low gate charge ID = 4.5A 100% avalanche tested RDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery D I-PAK D-PAK G S Device Package Marking Remark GP1M005A050CH D-PAK GP1M005A050CH Haloge

 5.2. Size:396K  globalpower
gp1m005a050xxx.pdfpdf_icon

GP1M005A040XG

GP1M005A050HSGP1M005A050FSHFeaturesVDSS = 500V Low gate chargeID = 4A 100% avalanche testedRDS(ON) = 1.85 (max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkGP1M005A050HS TO-220 GP1M005A050HS RoHSGP1M005A050FSH TO-220F GP1M005A050F

 5.3. Size:387K  globalpower
gp1m005a050xx.pdfpdf_icon

GP1M005A040XG

GP1M005A050HGP1M005A050FHFeaturesVDSS = 550 V @Tjmax Low gate chargeID = 4.5A 100% avalanche testedRDS(ON) = 1.65 (max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkGP1M005A050H TO-220 GP1M005A050H RoHSGP1M005A050FH TO-220F GP1M005A

Другие MOSFET... GMS2302 , GP1M003A040XG , GP1M003A050HG-FG , GP1M003A050XG , GP1M003A080XG , GP1M003A080XX , GP1M003A090XX , GP1M004A090XX , AON7403 , GP1M005A050XH , GP1M005A050XX , GP1M005A050XXX , GP1M006A065XH , GP1M006A065XX , GP1M006A070XX , GP1M007A065XX , GP1M007A090XX .

History: APT20M16B2LLG | CTM01N60 | SI4420DYPBF | GP1M008A050XX | 2SK2485 | IPB029N06N3GE8187 | APT12F60K

 

 
Back to Top

 


 
.