GP1M009A090N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP1M009A090N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
Время нарастания (tr): 49 ns
Выходная емкость (Cd): 184 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для GP1M009A090N
GP1M009A090N Datasheet (PDF)
gp1m009a090n.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A
gp1m009a090xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M
gp1m009a050xxx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A050HSGP1M009A050FSHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 8.5A
gp1m009a070x.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A070HGP1M006A070FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge700V 7A
gp1m009a020xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A020HGGP1M009A020FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 9A
gp1m009a020xg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A020CG GP1M009A020PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A
gp1m009a060xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP1M009A060HGP1M009A060FHVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.0 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A060H TO-220 GP1M009A060H RoHSGP1M009A060FH TO-220F GP1M009A060FH Halogen FreeAbsolute Ma
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .