Справочник MOSFET. GP1M009A090N

 

GP1M009A090N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M009A090N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M009A090N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  globalpower
 gp1m009a090n.pdf pdf_icon

GP1M009A090N

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

 3.1. Size:390K  globalpower
 gp1m009a090xx.pdf pdf_icon

GP1M009A090N

GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M

 5.1. Size:408K  globalpower
 gp1m009a050xxx.pdf pdf_icon

GP1M009A090N

GP1M009A050HSGP1M009A050FSHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 8.5A

 5.2. Size:378K  globalpower
 gp1m009a070x.pdf pdf_icon

GP1M009A090N

GP1M009A070HGP1M006A070FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge700V 7A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK3354Z | SI8808DB | AO4440 | SM2014NSKP | KP740A | FDBL86066-F085 | IRFPC50A

 

 
Back to Top

 


 
.