Справочник MOSFET. GP1M009A090N

 

GP1M009A090N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP1M009A090N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 184 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для GP1M009A090N

 

 

GP1M009A090N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  globalpower
 gp1m009a090n.pdf

GP1M009A090N GP1M009A090N

GP1M009A090N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 900V 9.5A

 3.1. Size:390K  globalpower
 gp1m009a090xx.pdf

GP1M009A090N GP1M009A090N

GP1M009A090HGP1M009A090FHVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.4 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A090H TO-220 GP1M009A090H RoHSGP1M009A090FH TO-220F GP1M009A090FH Halogen FreeAbsolute M

 5.1. Size:408K  globalpower
 gp1m009a050xxx.pdf

GP1M009A090N GP1M009A090N

GP1M009A050HSGP1M009A050FSHN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 8.5A

 5.2. Size:378K  globalpower
 gp1m009a070x.pdf

GP1M009A090N GP1M009A090N

GP1M009A070HGP1M006A070FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge700V 7A

 5.3. Size:405K  globalpower
 gp1m009a020xx.pdf

GP1M009A090N GP1M009A090N

GP1M009A020HGGP1M009A020FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 9A

 5.4. Size:503K  globalpower
 gp1m009a020xg.pdf

GP1M009A090N GP1M009A090N

GP1M009A020CG GP1M009A020PG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 200V 9A

 5.5. Size:390K  globalpower
 gp1m009a060xx.pdf

GP1M009A090N GP1M009A090N

GP1M009A060HGP1M009A060FHVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 9A Low gate chargeRDS(ON) = 1.0 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M009A060H TO-220 GP1M009A060H RoHSGP1M009A060FH TO-220F GP1M009A060FH Halogen FreeAbsolute Ma

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top