Справочник MOSFET. GP1M011A050XXX

 

GP1M011A050XXX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M011A050XXX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M011A050XXX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:395K  globalpower
gp1m011a050xxx.pdfpdf_icon

GP1M011A050XXX

GP1M011A050HSGP1M011A050FSHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(ON) = 0.7 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkGP1M011A050HS TO-220 GP1M011A050HS RoHS/Fast DiodeGP1M011A050FSH TO

 1.1. Size:395K  globalpower
gp1m011a050xx.pdfpdf_icon

GP1M011A050XXX

GP1M011A050HGP1M011A050FHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 11A Low gate chargeRDS(ON) = 0.67 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkGP1M011A050H TO-220 GP1M011A050H RoHSGP1M011A050FH TO-220F GP1M011A0

 8.1. Size:389K  globalpower
gp1m013a050xx.pdfpdf_icon

GP1M011A050XXX

GP1M013A050HGP1M013A050FHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 13A Low gate chargeRDS(on) = 0.48 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M013A050H TO-220 GP1M013A050H RoHSGP1M013A050FH TO-220F GP1M013A050FH Halogen FreeAbsolute

 8.2. Size:370K  globalpower
gp1m018a020xx.pdfpdf_icon

GP1M011A050XXX

GP1M018A020HG(H)GP1M018A020FG(H)N-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 18A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.