GP1M011A050XXX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GP1M011A050XXX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 374 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для GP1M011A050XXX
GP1M011A050XXX Datasheet (PDF)
gp1m011a050xxx.pdf

GP1M011A050HSGP1M011A050FSHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 10A Low gate chargeRDS(ON) = 0.7 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkGP1M011A050HS TO-220 GP1M011A050HS RoHS/Fast DiodeGP1M011A050FSH TO
gp1m011a050xx.pdf

GP1M011A050HGP1M011A050FHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 11A Low gate chargeRDS(ON) = 0.67 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkGP1M011A050H TO-220 GP1M011A050H RoHSGP1M011A050FH TO-220F GP1M011A0
gp1m013a050xx.pdf

GP1M013A050HGP1M013A050FHVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 13A Low gate chargeRDS(on) = 0.48 (max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkGP1M013A050H TO-220 GP1M013A050H RoHSGP1M013A050FH TO-220F GP1M013A050FH Halogen FreeAbsolute
gp1m018a020xx.pdf

GP1M018A020HG(H)GP1M018A020FG(H)N-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested200V 18A
Другие MOSFET... GP1M009A060XX , GP1M009A070X , GP1M009A090N , GP1M009A090XX , GP1M010A060XX , GP1M010A080N , GP1M010A080XX , GP1M011A050XX , IRF1404 , GP1M012A060XX , GP1M013A050XX , GP1M015A050XX , GP1M016A025XG , GP1M016A025XX , GP1M016A060N , GP1M016A060XX , GP1M018A020XG .
History: SVS80R430L8AE3TR | IXFP90N20X3 | HUFA75645P3 | IRF3709ZCLPBF | STU3LN62K3 | FMV20N50E | OSG60R108FZF
History: SVS80R430L8AE3TR | IXFP90N20X3 | HUFA75645P3 | IRF3709ZCLPBF | STU3LN62K3 | FMV20N50E | OSG60R108FZF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor