GP1M020A060N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: GP1M020A060N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для GP1M020A060N
GP1M020A060N Datasheet (PDF)
gp1m020a060n.pdf
GP1M020A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A
gp1m020a060m.pdf
GP1M020A060M VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 20A Low gate charge RDS(on) = 0.33 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification TO-3P D G S Device Package Marking Remark GP1M020A060M TO-3P GP1M020A060M RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS
gp1m020a050n.pdf
GP1M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A
gp1m023a050n.pdf
GP1M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A
Другие MOSFET... GP1M016A025XG , GP1M016A025XX , GP1M016A060N , GP1M016A060XX , GP1M018A020XG , GP1M018A020XX , GP1M020A050N , GP1M020A060M , P55NF06 , GP1M023A050N , GP1T025A120B , GP1T036A060B , GP1T040A120B , GP1T072A060B , GP1T080A120B , GP1T160A120B , GP2M002A060XG .
History: STW220NF75
History: STW220NF75
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent