Справочник MOSFET. GP1M020A060N

 

GP1M020A060N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M020A060N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M020A060N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  globalpower
 gp1m020a060n.pdf pdf_icon

GP1M020A060N

GP1M020A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

 3.1. Size:688K  globalpower
 gp1m020a060m.pdf pdf_icon

GP1M020A060N

GP1M020A060M VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 20A Low gate charge RDS(on) = 0.33 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification TO-3P D G S Device Package Marking Remark GP1M020A060M TO-3P GP1M020A060M RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS

 5.1. Size:541K  globalpower
 gp1m020a050n.pdf pdf_icon

GP1M020A060N

GP1M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 8.1. Size:578K  globalpower
 gp1m023a050n.pdf pdf_icon

GP1M020A060N

GP1M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FQD30N06TM | SQJ460AEP | SI7884BDP | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.