Справочник MOSFET. GP1M023A050N

 

GP1M023A050N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M023A050N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M023A050N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  globalpower
 gp1m023a050n.pdf pdf_icon

GP1M023A050N

GP1M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

 8.1. Size:758K  globalpower
 gp1m020a060n.pdf pdf_icon

GP1M023A050N

GP1M020A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

 8.2. Size:541K  globalpower
 gp1m020a050n.pdf pdf_icon

GP1M023A050N

GP1M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 8.3. Size:688K  globalpower
 gp1m020a060m.pdf pdf_icon

GP1M023A050N

GP1M020A060M VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 20A Low gate charge RDS(on) = 0.33 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification TO-3P D G S Device Package Marking Remark GP1M020A060M TO-3P GP1M020A060M RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FQP17N40 | GSM7424S | STP5NB40 | MTD3055VL | SFG014N100BC3 | BSS110 | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.