Справочник MOSFET. GP1M023A050N

 

GP1M023A050N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP1M023A050N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 357 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для GP1M023A050N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1M023A050N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  globalpower
 gp1m023a050n.pdf pdf_icon

GP1M023A050N

GP1M023A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

 8.1. Size:758K  globalpower
 gp1m020a060n.pdf pdf_icon

GP1M023A050N

GP1M020A060N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

 8.2. Size:541K  globalpower
 gp1m020a050n.pdf pdf_icon

GP1M023A050N

GP1M020A050N N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 8.3. Size:688K  globalpower
 gp1m020a060m.pdf pdf_icon

GP1M023A050N

GP1M020A060M VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 20A Low gate charge RDS(on) = 0.33 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification TO-3P D G S Device Package Marking Remark GP1M020A060M TO-3P GP1M020A060M RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1M016A025XX , GP1M016A060N , GP1M016A060XX , GP1M018A020XG , GP1M018A020XX , GP1M020A050N , GP1M020A060M , GP1M020A060N , 2SK3878 , GP1T025A120B , GP1T036A060B , GP1T040A120B , GP1T072A060B , GP1T080A120B , GP1T160A120B , GP2M002A060XG , GP2M002A060XX .

History: DMG10N60SCT

 

 
Back to Top

 


 
.