GP1T036A060B - описание и поиск аналогов

 

Аналоги GP1T036A060B. Основные параметры


   Наименование производителя: GP1T036A060B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для GP1T036A060B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP1T036A060B даташит

 ..1. Size:379K  globalpower
 gp1t036a060b.pdf pdf_icon

GP1T036A060B

PRELIMINARY GP1T036A060B VDS 600 V RDS,on 36 mW ID 80 A 600V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverter

 9.1. Size:420K  globalpower
 gp1t040a120b.pdf pdf_icon

GP1T036A060B

PRELIMINARY GP1T040A120B VDS 1200 V RDS,on 40 mW ID 62 A 1200V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverter

 9.2. Size:421K  globalpower
 gp1t080a120b.pdf pdf_icon

GP1T036A060B

PRELIMINARY GP1T080A120B VDS 1200 V RDS,on 80 mW ID 32 A 1200V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverter

 9.3. Size:420K  globalpower
 gp1t025a120b.pdf pdf_icon

GP1T036A060B

PRELIMINARY GP1T025A120B VDS 1200 V RDS,on 25 mW ID 100 A 1200V SiC MOSFET TM TM TM Amp+ Features Amp+ Benefits Amp+ Applications Low on-resistance High system efficiency Motor drives High speed switching with low capacitance Higher system switching frequency Switch mode power supplies Fast reverse recovery Smaller cooing system Solar inverte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1M016A060XX , GP1M018A020XG , GP1M018A020XX , GP1M020A050N , GP1M020A060M , GP1M020A060N , GP1M023A050N , GP1T025A120B , IRFP250N , GP1T040A120B , GP1T072A060B , GP1T080A120B , GP1T160A120B , GP2M002A060XG , GP2M002A060XX , GP2M002A065XG , GP2M002A065XX .

History: JMSL0615AGDQ | PTW30N50EL | DHS052N10 | QM2402J | FDD044AN03L | STM4605 | JMSL0630AGD

 

 
Back to Top

 


 
.