GP2M002A060XX datasheet, аналоги, параметры транзистора

GP2M002A060XX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M002A060XX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-251

Аналог (замена) для GP2M002A060XX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:505K globalpower
gp2m002a060xx.pdf pdf_icon

GP2M002A060CG GP2M002A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

2.1. Size:405K globalpower
gp2m002a060xg.pdf pdf_icon

GP2M002A060HG GP2M002A060FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

4.1. Size:394K globalpower
gp2m002a065xx.pdf pdf_icon

GP2M002A065HG GP2M002A065FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

4.2. Size:499K globalpower
gp2m002a065xg.pdf pdf_icon

GP2M002A065CG GP2M002A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A