Справочник MOSFET. GP2M002A060XX

 

GP2M002A060XX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M002A060XX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251
 

 Аналог (замена) для GP2M002A060XX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M002A060XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:505K  globalpower
 gp2m002a060xx.pdf pdf_icon

GP2M002A060XX

GP2M002A060CG GP2M002A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 2.1. Size:405K  globalpower
 gp2m002a060xg.pdf pdf_icon

GP2M002A060XX

GP2M002A060HGGP2M002A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 2.0A

 4.1. Size:394K  globalpower
 gp2m002a065xx.pdf pdf_icon

GP2M002A060XX

GP2M002A065HGGP2M002A065FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 1.8A

 4.2. Size:499K  globalpower
 gp2m002a065xg.pdf pdf_icon

GP2M002A060XX

GP2M002A065CG GP2M002A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1M023A050N , GP1T025A120B , GP1T036A060B , GP1T040A120B , GP1T072A060B , GP1T080A120B , GP1T160A120B , GP2M002A060XG , K4145 , GP2M002A065XG , GP2M002A065XX , GP2M004A060XG , GP2M004A060XX , GP2M004A065XG , GP2M004A065XX , GP2M005A050XG , GP2M005A050XX .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | HGN080N10SL | 7409B | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.