GP2M002A065XG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP2M002A065XG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 17 ns
Выходная емкость (Cd): 40 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.6 Ohm
Тип корпуса: TO-252 TO-251
Аналог (замена) для GP2M002A065XG
GP2M002A065XG Datasheet (PDF)
gp2m002a065xg.pdf
GP2M002A065CG GP2M002A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A
gp2m002a065xx.pdf
GP2M002A065HGGP2M002A065FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 1.8A
gp2m002a060xx.pdf
GP2M002A060CG GP2M002A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A
gp2m002a060xg.pdf
GP2M002A060HGGP2M002A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 2.0A
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
