Справочник MOSFET. GP2M004A060XG

 

GP2M004A060XG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP2M004A060XG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 27 ns
   Выходная емкость (Cd): 61 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251

 Аналог (замена) для GP2M004A060XG

 

 

GP2M004A060XG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  globalpower
gp2m004a060xg.pdf

GP2M004A060XG
GP2M004A060XG

GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 2.1. Size:419K  globalpower
gp2m004a060xx.pdf

GP2M004A060XG
GP2M004A060XG

GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A

 4.1. Size:395K  globalpower
gp2m004a065xx.pdf

GP2M004A060XG
GP2M004A060XG

GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A

 4.2. Size:503K  globalpower
gp2m004a065xg.pdf

GP2M004A060XG
GP2M004A060XG

GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top