GP2M004A060XG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M004A060XG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-251

Аналог (замена) для GP2M004A060XG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M004A060XG даташит

 ..1. Size:514K  globalpower
 gp2m004a060xg.pdf pdf_icon

GP2M004A060XG

GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 2.1. Size:419K  globalpower
 gp2m004a060xx.pdf pdf_icon

GP2M004A060XG

GP2M004A060HG GP2M004A060FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 4.1. Size:395K  globalpower
 gp2m004a065xx.pdf pdf_icon

GP2M004A060XG

GP2M004A065HG GP2M004A065FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 4.2. Size:503K  globalpower
 gp2m004a065xg.pdf pdf_icon

GP2M004A060XG

GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP1T040A120B, GP1T072A060B, GP1T080A120B, GP1T160A120B, GP2M002A060XG, GP2M002A060XX, GP2M002A065XG, GP2M002A065XX, IRLB4132, GP2M004A060XX, GP2M004A065XG, GP2M004A065XX, GP2M005A050XG, GP2M005A050XX, GP2M005A060XG, GP2M005A060XXX, GP2M007A065XG