Справочник MOSFET. GP2M004A060XX

 

GP2M004A060XX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M004A060XX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M004A060XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  globalpower
 gp2m004a060xx.pdf pdf_icon

GP2M004A060XX

GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A

 2.1. Size:514K  globalpower
 gp2m004a060xg.pdf pdf_icon

GP2M004A060XX

GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 4.1. Size:395K  globalpower
 gp2m004a065xx.pdf pdf_icon

GP2M004A060XX

GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A

 4.2. Size:503K  globalpower
 gp2m004a065xg.pdf pdf_icon

GP2M004A060XX

GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.