GP2M004A060XX MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GP2M004A060XX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 61 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220 TO-220F
Аналог (замена) для GP2M004A060XX
GP2M004A060XX Datasheet (PDF)
gp2m004a060xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A
gp2m004a060xg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A
gp2m004a065xx.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A
gp2m004a065xg.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .