Справочник MOSFET. GP2M004A060XX

 

GP2M004A060XX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M004A060XX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
 

 Аналог (замена) для GP2M004A060XX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M004A060XX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  globalpower
 gp2m004a060xx.pdf pdf_icon

GP2M004A060XX

GP2M004A060HGGP2M004A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.0A

 2.1. Size:514K  globalpower
 gp2m004a060xg.pdf pdf_icon

GP2M004A060XX

GP2M004A060CG GP2M004A060PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 4.1. Size:395K  globalpower
 gp2m004a065xx.pdf pdf_icon

GP2M004A060XX

GP2M004A065HGGP2M004A065FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 4.0A

 4.2. Size:503K  globalpower
 gp2m004a065xg.pdf pdf_icon

GP2M004A060XX

GP2M004A065CG GP2M004A065PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP1T072A060B , GP1T080A120B , GP1T160A120B , GP2M002A060XG , GP2M002A060XX , GP2M002A065XG , GP2M002A065XX , GP2M004A060XG , AO3400 , GP2M004A065XG , GP2M004A065XX , GP2M005A050XG , GP2M005A050XX , GP2M005A060XG , GP2M005A060XXX , GP2M007A065XG , GP2M007A080F .

History: TPA80R750C | SLF10N65A | UTT15P06 | HSU0115 | SM7580NSFH | MP15N60EIC | 19N10G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.