GP2M005A060XXX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M005A060XXX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO-252 TO-251

Аналог (замена) для GP2M005A060XXX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M005A060XXX даташит

 ..1. Size:507K  globalpower
 gp2m005a060xxx.pdf pdf_icon

GP2M005A060XXX

GP2M005A060CG GP2M005A060PG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 2.1. Size:410K  globalpower
 gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M005A060XXX

GP2M005A060HG GP2M005A060FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 5.1. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M005A060XXX

GP2M005A050HG GP2M005A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 5.2. Size:500K  globalpower
 gp2m005a050xg.pdf pdf_icon

GP2M005A060XXX

GP2M005A050CG GP2M005A050PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M002A065XX, GP2M004A060XG, GP2M004A060XX, GP2M004A065XG, GP2M004A065XX, GP2M005A050XG, GP2M005A050XX, GP2M005A060XG, K4145, GP2M007A065XG, GP2M007A080F, GP2M008A060XGX, GP2M008A060XXX, GP2M009A090FG, GP2M009A090NG, GP2M010A060X, GP2M010A065X