Справочник MOSFET. GP2M005A060XXX

 

GP2M005A060XXX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M005A060XXX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-252 TO-251
 

 Аналог (замена) для GP2M005A060XXX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M005A060XXX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  globalpower
 gp2m005a060xxx.pdf pdf_icon

GP2M005A060XXX

GP2M005A060CG GP2M005A060PG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 2.1. Size:410K  globalpower
 gp2m005a060xg.pdf pdf_icon

GP2M005A060XXX

GP2M005A060HGGP2M005A060FGFeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 4.2A

 5.1. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M005A060XXX

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

 5.2. Size:500K  globalpower
 gp2m005a050xg.pdf pdf_icon

GP2M005A060XXX

GP2M005A050CG GP2M005A050PG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GP2M002A065XX , GP2M004A060XG , GP2M004A060XX , GP2M004A065XG , GP2M004A065XX , GP2M005A050XG , GP2M005A050XX , GP2M005A060XG , IRFB3607 , GP2M007A065XG , GP2M007A080F , GP2M008A060XGX , GP2M008A060XXX , GP2M009A090FG , GP2M009A090NG , GP2M010A060X , GP2M010A065X .

History: FDS6680S | STN4260 | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1 | HMS60N10D | PK5G6EA

 

 
Back to Top

 


 
.