GP2M008A060XGX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M008A060XGX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для GP2M008A060XGX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M008A060XGX даташит

 ..1. Size:398K  globalpower
 gp2m008a060xgx.pdf pdf_icon

GP2M008A060XGX

GP2M008A060HG GP2M008A060FG(H) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 2.1. Size:522K  globalpower
 gp2m008a060xxx.pdf pdf_icon

GP2M008A060XGX

GP2M008A060CG GP2M008A060PG(H) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.1. Size:416K  globalpower
 gp2m007a065xg.pdf pdf_icon

GP2M008A060XGX

GP2M007A065HG GP2M007A065FG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 8.2. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M008A060XGX

GP2M005A050HG GP2M005A050FG Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M004A065XG, GP2M004A065XX, GP2M005A050XG, GP2M005A050XX, GP2M005A060XG, GP2M005A060XXX, GP2M007A065XG, GP2M007A080F, 12N60, GP2M008A060XXX, GP2M009A090FG, GP2M009A090NG, GP2M010A060X, GP2M010A065X, GP2M011A090NG, GP2M012A060X, GP2M012A080NG