Справочник MOSFET. GP2M008A060XGX

 

GP2M008A060XGX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GP2M008A060XGX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M008A060XGX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  globalpower
 gp2m008a060xgx.pdf pdf_icon

GP2M008A060XGX

GP2M008A060HGGP2M008A060FG(H)FeaturesN-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested600V 7.5A

 2.1. Size:522K  globalpower
 gp2m008a060xxx.pdf pdf_icon

GP2M008A060XGX

GP2M008A060CG GP2M008A060PG(H) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 8.1. Size:416K  globalpower
 gp2m007a065xg.pdf pdf_icon

GP2M008A060XGX

GP2M007A065HGGP2M007A065FGN-channel MOSFETFeatures Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested650V 6.5A

 8.2. Size:366K  globalpower
 gp2m005a050xx.pdf pdf_icon

GP2M008A060XGX

GP2M005A050HGGP2M005A050FGFeatures N-channel MOSFET Low gate chargeBVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested500V 4.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPB039N04L | SMK0460D | BSS7728NG | NTP2955 | IXTA98N075T | PMN70XPE | LR024N

 

 
Back to Top

 


 
.