Справочник MOSFET. GP2M010A065X

 

GP2M010A065X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GP2M010A065X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   trⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.82 Ohm
   Тип корпуса: TO-220 TO-220F

 Аналог (замена) для GP2M010A065X

 

 

GP2M010A065X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  globalpower
gp2m010a065x.pdf

GP2M010A065X
GP2M010A065X

GP2M010A065HGP2M010A065FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge650V 9.5A

 4.1. Size:406K  globalpower
gp2m010a060x.pdf

GP2M010A065X
GP2M010A065X

GP2M010A060HGP2M010A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 10A

 8.1. Size:570K  globalpower
gp2m012a080ng.pdf

GP2M010A065X
GP2M010A065X

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 8.2. Size:242K  globalpower
gp2m013a050f.pdf

GP2M010A065X
GP2M010A065X

GP2M013A050FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge500V 13A

 8.3. Size:574K  globalpower
gp2m011a090ng.pdf

GP2M010A065X
GP2M010A065X

GP2M011A090NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A

 8.4. Size:403K  globalpower
gp2m012a060x.pdf

GP2M010A065X
GP2M010A065X

GP2M012A060HGP2M012A060FN-channel MOSFETFeaturesBVDSS ID RDS(on) Low gate charge600V 12A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top