GP2M010A065X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GP2M010A065X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 198 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.82 Ohm

Тип корпуса: TO-220 TO-220F

Аналог (замена) для GP2M010A065X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GP2M010A065X даташит

 ..1. Size:401K  globalpower
 gp2m010a065x.pdf pdf_icon

GP2M010A065X

GP2M010A065H GP2M010A065F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 9.5A

 4.1. Size:406K  globalpower
 gp2m010a060x.pdf pdf_icon

GP2M010A065X

GP2M010A060H GP2M010A060F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 10A

 8.1. Size:570K  globalpower
 gp2m012a080ng.pdf pdf_icon

GP2M010A065X

GP2M012A080NG N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 8.2. Size:242K  globalpower
 gp2m013a050f.pdf pdf_icon

GP2M010A065X

GP2M013A050F N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 13A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M005A060XXX, GP2M007A065XG, GP2M007A080F, GP2M008A060XGX, GP2M008A060XXX, GP2M009A090FG, GP2M009A090NG, GP2M010A060X, IRF530, GP2M011A090NG, GP2M012A060X, GP2M012A080NG, GP2M013A050F, GP2M020A050N, GP2M020A050X, GP2M020A060N, GP2M023A050N