Справочник MOSFET. GSM1024E

 

GSM1024E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM1024E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563

 Аналог (замена) для GSM1024E

 

 

GSM1024E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:937K  globaltech semi
 gsm1024e.pdf

GSM1024E GSM1024E

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1024E, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 20V/0.5A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 20V/0.4A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low

 7.1. Size:940K  globaltech semi
 gsm1024.pdf

GSM1024E GSM1024E

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1024, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.5A,RDS(ON)=420m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These 20V/0.4A,RDS(ON)=560m@VGS=1.8V devices are particularly suited for low voltage Low Offset (Error) Voltag

 8.1. Size:972K  globaltech semi
 gsm1023.pdf

GSM1024E GSM1024E

GSM1023 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1023, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A,RDS(ON)=620m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench -20V/-0.35A,RDS(ON)=860m@VGS=-2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low -20V/-0.25A,RDS(ON)=1450m@VGS=-1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particula

 8.2. Size:1054K  globaltech semi
 gsm1026s.pdf

GSM1024E GSM1024E

GSM1026S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1026S, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A,RDS(ON)=2.4@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 60V/0.2A,RDS(ON)=3.0@VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low Super high density cell design for extremely gate charge. low RDS(ON) These devices are particularly suited for low Exception

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top