GSM1024E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM1024E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: SOT-563

Аналог (замена) для GSM1024E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1024E даташит

 ..1. Size:937K  globaltech semi
 gsm1024e.pdf pdf_icon

GSM1024E

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1024E, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench 20V/0.5A,RDS(ON)=420m @VGS=2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low 20V/0.4A,RDS(ON)=560m @VGS=1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low

 7.1. Size:940K  globaltech semi
 gsm1024.pdf pdf_icon

GSM1024E

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1024, N-Channel enhancement mode 20V/0.6A,RDS(ON)=360m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.5A,RDS(ON)=420m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These 20V/0.4A,RDS(ON)=560m @VGS=1.8V devices are particularly suited for low voltage Low Offset (Error) Voltag

 8.1. Size:972K  globaltech semi
 gsm1023.pdf pdf_icon

GSM1024E

GSM1023 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1023, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A,RDS(ON)=620m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench -20V/-0.35A,RDS(ON)=860m @VGS=-2.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low -20V/-0.25A,RDS(ON)=1450m @VGS=-1.8V gate charge. Low Offset (Error) Voltage These devices are particula

 8.2. Size:1054K  globaltech semi
 gsm1026s.pdf pdf_icon

GSM1024E

GSM1026S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1026S, N-Channel enhancement mode 60V/0.5A,RDS(ON)=2.4 @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 60V/0.2A,RDS(ON)=3.0 @VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low Super high density cell design for extremely gate charge. low RDS(ON) These devices are particularly suited for low Exception

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GP2M023A050N, GSM1012, GSM1012E, GSM1013, GSM1013E, GSM1016, GSM1023, GSM1024, SI2302, GSM1026S, GSM1032, GSM1034, GSM1072, GSM1072E, GSM1073, GSM1073E, GSM1303