GSM1073E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM1073E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: SOT-723

Аналог (замена) для GSM1073E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1073E даташит

 ..1. Size:625K  globaltech semi
 gsm1073e.pdf pdf_icon

GSM1073E

GSM1073E 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1073E, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=800m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.5A,RDS(ON)=950m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1250m @VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly sui

 7.1. Size:957K  globaltech semi
 gsm1073.pdf pdf_icon

GSM1073E

GSM1073 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1073, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A,RDS(ON)=620m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A,RDS(ON)=860m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A,RDS(ON)=1450m @VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are part

 8.1. Size:1003K  globaltech semi
 gsm1072.pdf pdf_icon

GSM1073E

GSM1072 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1072, N-Channel enhancement mode 20V/0.8A,RDS(ON)=360m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.7A,RDS(ON)=420m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.6A,RDS(ON)=560m @VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:515K  globaltech semi
 gsm1072e.pdf pdf_icon

GSM1073E

GSM1072E 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1072E, N-Channel enhancement mode 20V/0.8A,RDS(ON)=360m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/0.7A,RDS(ON)=420m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/0.6A,RDS(ON)=560m @VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited for lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM1024, GSM1024E, GSM1026S, GSM1032, GSM1034, GSM1072, GSM1072E, GSM1073, IRFZ24N, GSM1303, GSM1304, GSM1304E, GSM1306, GSM1330S, GSM1413, GSM1433, GSM1443