GSM1304 - аналоги и даташиты транзистора

 

GSM1304 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSM1304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для GSM1304

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:934K  globaltech semi
 gsm1304.pdf pdf_icon

GSM1304

GSM1304 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 340m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 680m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device

 0.1. Size:936K  globaltech semi
 gsm1304e.pdf pdf_icon

GSM1304

GSM1304E 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1304E, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A , RDS(ON)= 320m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/1.5A , RDS(ON)= 450m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A , RDS(ON)= 580m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devi

 8.1. Size:1193K  globaltech semi
 gsm1306.pdf pdf_icon

GSM1304

GSM1306 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1306, N-Channel enhancement mode 30V/1.5A , RDS(ON)= 430m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.2A , RDS(ON)= 580m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/0.6A , RDS(ON)= 860m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These device

 8.2. Size:1006K  globaltech semi
 gsm1303.pdf pdf_icon

GSM1304

GSM1303 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1303, P-Channel enhancement mode -20V/-0.45A , RDS(ON)= 600m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.35A , RDS(ON)= 800m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-0.25A , RDS(ON)= 1300m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM1026S , GSM1032 , GSM1034 , GSM1072 , GSM1072E , GSM1073 , GSM1073E , GSM1303 , IRFB31N20D , GSM1304E , GSM1306 , GSM1330S , GSM1413 , GSM1433 , GSM1443 , GSM1563 , GSM1810 .

History: IRFS353

 

 
Back to Top

 


 
.