Справочник MOSFET. GSM1810

 

GSM1810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM1810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для GSM1810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM1810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:938K  globaltech semi
 gsm1810.pdf pdf_icon

GSM1810

GSM1810 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1810, P-Channel enhancement mode -100V/-2.0A,RDS(ON)=230m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -100V/-1.0A,RDS(ON)=245m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

Другие MOSFET... GSM1304 , GSM1304E , GSM1306 , GSM1330S , GSM1413 , GSM1433 , GSM1443 , GSM1563 , RU7088R , GSM1912 , GSM1913 , GSM2014 , GSM2301 , GSM2301A , GSM2301AS , GSM2301S , GSM2302AS .

History: UTT30P06

 

 
Back to Top

 


 
.