GSM1913 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM1913
Маркировка: 13*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
GSM1913 Datasheet (PDF)
gsm1913.pdf
GSM1913 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1913, P-Channel enhancement mode -20V/-0.6A,RDS(ON)=600m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-0.5A,RDS(ON)=800m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. -20V/-0.4A,RDS(ON)=1600m@VGS=-1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particu
gsm1912.pdf
GSM1912 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM1912, N-Channel enhancement mode 20V/1.8A,RDS(ON)=280m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/1.5A,RDS(ON)=340m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.2A,RDS(ON)=580m@VGS=1.8V Low Offset (Error) Voltage These devices are particularly suited f
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F