Справочник MOSFET. GSM2301S

 

GSM2301S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM2301S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L

 Аналог (замена) для GSM2301S

 

 

GSM2301S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:827K  globaltech semi
 gsm2301s.pdf

GSM2301S GSM2301S

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2301S, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for These devices are particularly suited for low extremely low RDS (ON) volt

 7.1. Size:877K  globaltech semi
 gsm2301as.pdf

GSM2301S GSM2301S

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2301AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.4A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low voltage

 7.2. Size:816K  globaltech semi
 gsm2301a.pdf

GSM2301S GSM2301S

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -20V/-2.6A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5V GSM2301A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.2A,RDS(ON)=170m@VGS=-2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 7.3. Size:477K  globaltech semi
 gsm2301.pdf

GSM2301S GSM2301S

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2301, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=155m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volta

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top