GSM2323 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM2323

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3L

Аналог (замена) для GSM2323

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2323 даташит

 ..1. Size:1173K  globaltech semi
 gsm2323.pdf pdf_icon

GSM2323

GSM2323 GSM2323 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2323, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

 0.1. Size:671K  globaltech semi
 gsm2323a.pdf pdf_icon

GSM2323

GSM2323A 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2323A, P-Channel enhancement mode -30V/-2.8A,RDS(ON)=155m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench -30V/-2.4A,RDS(ON)=240m @VGS=-4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low Super high density cell design for gate charge. extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

 8.1. Size:832K  globaltech semi
 gsm2324.pdf pdf_icon

GSM2323

GSM2324 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2324, N-Channel enhancement mode 100V/2.3A,RDS(ON)=285m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/1.8A,RDS(ON)=295m @VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for lo

 8.2. Size:885K  globaltech semi
 gsm2324a.pdf pdf_icon

GSM2323

GSM2324A 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2324A, N-Channel enhancement mode 100V/2.3A,RDS(ON)=310m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/1.8A,RDS(ON)=320m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM2311A, GSM2312, GSM2312A, GSM2317, GSM2318, GSM2318A, GSM2319A, GSM2319AS, IRFP260N, GSM2323A, GSM2324, GSM2324A, GSM2330, GSM2330A, GSM2333A, GSM2336A, GSM2337A