GSM2323 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM2323
Маркировка: 23*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: SOT-23-3L
GSM2323 Datasheet (PDF)
gsm2323.pdf
GSM2323 GSM2323 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2323, P-Channel enhancement mode -30V/-3.6A,RDS(ON)=150m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-3.2A,RDS(ON)=235m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo
gsm2323a.pdf
GSM2323A 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2323A, P-Channel enhancement mode -30V/-2.8A,RDS(ON)=155m@VGS=-10VMOSFET, uses Advanced Trench -30V/-2.4A,RDS(ON)=240m@VGS=-4.5VTechnology to provide excellent RDS(ON), low Super high density cell design for gate charge. extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for
gsm2324.pdf
GSM2324 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2324, N-Channel enhancement mode 100V/2.3A,RDS(ON)=285m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/1.8A,RDS(ON)=295m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for lo
gsm2324a.pdf
GSM2324A 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2324A, N-Channel enhancement mode 100V/2.3A,RDS(ON)=310m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/1.8A,RDS(ON)=320m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F