GSM2337A - аналоги и даташиты транзистора

 

GSM2337A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSM2337A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.89 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для GSM2337A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2337A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  globaltech semi
 gsm2337a.pdf pdf_icon

GSM2337A

GSM2337A GSM2337A 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -30V/-1.2A,RDS(ON)=890m@VGS=-10V GSM2337A, P-Channel enhancement mode -30V/-0.6A,RDS(ON)=1450m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to Super high density cell design for extremely provide excellent RDS(ON), low gate charge. low RDS (ON) Exceptional on-resi

 8.1. Size:832K  globaltech semi
 gsm2330.pdf pdf_icon

GSM2337A

GSM2330 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2330, N-Channel enhancement mode 90V/2.8A,RDS(ON)=190m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/2.0A,RDS(ON)=200m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:892K  globaltech semi
 gsm2336a.pdf pdf_icon

GSM2337A

GSM2336A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2336A, N-Channel enhancement mode 30V/1.8A,RDS(ON)=380m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/1.5A,RDS(ON)=480m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/1.2A,RDS(ON)=900m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are p

 8.3. Size:832K  globaltech semi
 gsm2330a.pdf pdf_icon

GSM2337A

GSM2330A 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2330A, N-Channel enhancement mode 90V/2.8A,RDS(ON)=200m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 90V/2.0A,RDS(ON)=210m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM2323 , GSM2323A , GSM2324 , GSM2324A , GSM2330 , GSM2330A , GSM2333A , GSM2336A , P55NF06 , GSM2341 , GSM2343A , GSM2354 , GSM2367AS , GSM2367S , GSM2376 , GSM2379 , GSM2519 .

History: GSM2354 | SM4370NSKP | PJS6816 | 2SK2849S | FDS86267P | VN1304 | ME2305-G

 

 
Back to Top

 


 
.